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Das Ferdinand-Braun-Institut (FBH) arbeitet gemeinsam mit der TU Berlin an der Entwicklung von Leuchtdioden (LEDs) im ultravioletten (UV) Spektralbereich mit Emissionswellenlängen zwischen 210 nm und 340 nm. Solche Bauelemente sind für zahlreiche Anwendungen in der Desinfektion von Wasser und Nahrung, zur Gasdetektion, zur Beeinflussung chemischer Vorgänge in Pflanzen, zur Lackhärtung u.a. von großem Interesse.

Ein Ziel besteht darin, die Ausgangsleistung und die Zuverlässigkeit dieser UV-Leuchtdioden zu erhöhen. Dies erfordert unter anderem eine Optimierung des kristallinen AlN-Substrates auf dem die Schichtstrukturen für die LEDs epitaktisch abgeschieden werden. Dazu soll der Einfluss eines Hochtemperatur-Annealings auf dünne AlN-Schichten untersucht werden. Die zu untersuchenden AlN-Schichten werden am FBH mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) auf Saphir abgeschieden und anschließend im Hochtemperaturofen erhitzt.

Am FBH stehen ein Röntgendiffraktometer, ein Rasterkraft-Mikroskop und ein Raster-Elektronenmikroskop mit integrierter Kathodolumineszenzmessung zur Verfügung mit denen die strukturellen Eigenschaften dieser AlN-Schichten untersucht werden können. Der Einfluss auf nachfolgend epitaktisch gewachsene LED-Strukturen kann mittels Elektrolumineszenz-Messungen untersucht werden.

Ziel der Arbeit ist es, den Einfluss von MOVPE-Wachstumsparametern und den Einfluss von verschiedenen Parametern beim Hochtemperatur-Annealing auf die Materialqualität des AlN zu untersuchen und daraus einen optimierten Prozess für die Herstellung von Basis-Schichten für UV-LEDs abzuleiten.

Studienrichtung: Physik, Physikalische Technik, o.ä.
Vorkenntnisse: Festkörperphysik, Angewandte Physik
Beginn: ab sofort

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Für Auskünfte und weitere Informationen zur Bachelor/Masterarbeit wenden Sie sich bitte an Herrn Prof. Dr. Markus Weyers (+49-30-6392 2670), E-Mail: markus.weyers@fbh-berlin.de


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