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In der Arbeitsgruppe TEM der Humboldt Universität zu Berlin soll in enger Kooperation mit dem Ferdinand-Braun-Institut eine Bachelorarbeit bzw. Masterarbeit zu diesem Thema angefertigt werden.

(Al,Ga)N-basierte Dünnschichtsysteme mit verschiedenem Al/Ga-Verhältnis werden als innovative Bauteile für der zukünftigen ultraviolette Licht emittierenden Dioden (LEDs) und Leistungstransistoren verwendet. Für die breite Anwendung dieser (opto)elektronischen Bauelemente ist sowohl eine effiziente Dotierung der Schichten als auch eine niedrige Anzahl von elektronisch störenden Kristalldefekten eine wichtige Voraussetzung. Jedoch weisen verschiedene Dotierungselemente einen unterschiedlichen Einfluss auf das Verhalten der Kristalldefekte in den Schichten auf. Zum Beispiel kann ein angepasster Einsatz von Si-Dotierungen solche elektronisch ungünstigen Defekte wie Versetzungen um einige Größenordnungen reduzieren und somit die Effizienz der Bauelemente um Größenordnungen verbessern.

Im Rahmen dieser Arbeit wird der Einfluss verschiedener Dotierungselemente (Si, C, Fe, Mg) und deren Menge auf die Defektstruktur mittels Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) auf der Nanometerskala untersucht. Dafür steht in der AG TEM ein modernes analytisches Transmissionselektronenmikroskop der Firma JEOL zur Verfügung. Die Studierenden lernen dabei mechanische Probenpräparation für TEM und führen die Charakterisierung der Defektstruktur und chemischen Homogenität dünner Schichten im Nanometerbereich durch. Die dadurch gewonnenen Schlussfolgerungen werden am Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik bei der Herstellung der elektronischen Bauelemente berücksichtigt.

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Für Auskünfte und weitere Informationen zur Masterarbeit wenden Sie sich bitte an Frau
Dr. Anna Mogilatenko (+49-30-6392 2688), E-Mail: anna.mogilateko@fbh-berlin.de


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