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In der Abteilung Materialtechnologie des Ferdinand-Braun-Instituts soll eine Master- oder Bachelorarbeit zum Thema Ladungsträgerdiffusion in Galliumnitrid (GaN) angefertigt werden.

GaN-Schichten werden als Wellenleiter in blau/violett emittierenden Halbleiterlasern verwendet. Ihr Zweck ist es, zusammen mit Aluminium-haltigen AlGaN Mantelschichten über Brechungsindexsprünge die Ausbreitungsrichtung des Laserlichtes im Halbleiterkristall vorzugeben und dabei möglichst wenig Licht der Lasermode zu absorbieren. Gleichzeitig muss der Ladungsträgertransport durch die GaN-Wellenleiterschichten während des elektrischen Betriebs der Laserdioden gewährleistet sein. Um die Absorption der Lasermode im Wellenleiter gering zu halten, wird üblicherweise auf eine Dotierung des GaN-Wellenleiters mit Akzeptoren verzichtet. Die Effizienz des Löchertransports mittels Diffusion in die Licht emittierenden Schichten hängt damit stark von der Reinheit des Wellenleiters, der Punktdefektdichte im GaN-Kristall, ab.

Im Rahmen der Master- bzw Bachelorarbeit soll die Ladungsträgerdiffusion und die Wahrscheinlichkeit nichtstrahlender Rekombinationssprozesse in GaN-Schichten verschiedener Reinheit untersucht werden. Dazu sind Fotolumineszenzmessungen im Temperaturbereich von 10 K bis 300 K an GaN-Schichten mit vergrabenen InGaN Quantentöpfen durchzuführen und auszuwerten. Das Arbeitsthema erlaubt zusätzlich Einblicke in weitere Messmethoden, wie die Elektronenmikroskopie oder die zeitaufgelösten Lumineszenzmessung.

Studienrichtung:
Physik oder verwandte Studienrichtung

Beginn:
Die Arbeit kann sofort begonnen werden.

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Email: carsten.netzel@fbh-berlin.de

 

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