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Das Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) im Forschungsverbund Berlin e. V. ist ein international führendes Forschungsinstitut auf den Gebieten der Diodenlaser, UV-LEDs und der Mikrowellenbauelemente.

Auf der Basis von III/V Halbleitern erforscht und realisiert es Komponenten und Systeme u.a. für Anwendungen in Kommunikation, Verkehrs- und Produktionstechnik, Medizin und Biotechnologie. Es verfügt über die gesamte Wertschöpfungskette vom Design bis zu lieferfertigen Systemen.

Im Bereich des „GaN Microwave Devices Labs“ soll eine Bachelor-/Masterarbeit zum Thema Optimierung von ohmschen Kontakten für extrem schnelle GaN-HEMTs angefertigt werden.

Die Qualität des ohmschen Kontakts spielt eine wichtige Rolle für GaN-HEMTs im Millimeterwellen-Bereich. Der Kontaktwiderstand (Rc) und die Kantenschärfe sind die Hauptkriterien. Beide Parameter begrenzen Schaltfrequenz und Rauschverhalten der Bauelemente. Die jetzige FBH-Technologie erreicht einen Kontaktwiderstand von etwa 0,3 Ω / □ . Für die weitere Skalierung der Transistoren sind jedoch Werte von Rc ≤ 0,1 Ω /□ erforderlich.

In dieser Arbeit soll eine entsprechende  Optimierung der ohmschen Kontakte durchgeführt werden. Zu diesem Zweck soll eine lokale Dotierung des Halbleiters mit einer geeigneten Metallisierungstechnologie kombiniert werden.

Folgende Arbeitsschwerpunkte sind geplant:

  • Verschaffung eines Einblicks in die Technologie zur Herstellung von Ohmkontakten
  • Messtechnische Analyse von Ohmkontakten, Auswertung der Messergebnisse
  • TCAD Simulation der Ohmkontakte
  • Erarbeitung eines physikalisch / chemisches Verständnisses der ohmschen Kontaktbildung

Die Arbeit erfolgt unter intensiver wissenschaftlicher und technischer Betreuung.

Studienrichtung:  Elektrotechnik, Physik oder verwandte Studienrichtung
Beginn:
ab sofort
Sprache: englisch

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Für Auskünfte und weitere Informationen zur Stelle wenden Sie sich bitte an Herrn Hossein Yazdani (+49-30-6392-2774), E-Mail: Hossein.Yazdani@fbh-berlin.de


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